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    • 专利摘要:
    Eswird ein Verfahren zum Beschichten einer Schicht aus prägbarem Materialmit einer molekulardünnenAblöseschichtvor dem Prägender Schicht beschrieben.
    公开号:DE102004027124A1
    申请号:DE200410027124
    申请日:2004-06-03
    公开日:2005-01-05
    发明作者:Andrew Morgan Hill Homola
    申请人:WD Media LLC；
    IPC主号:B29C33-62
    专利说明:
    [0001] Ausführungsformendieser Erfindung betreffen das Gebiet der Herstellung insbesondereder Herstellung von Aufzeichnungsplatten mit diskreten Spuren mitHilfe von Nano-Präge-Lithograpietechniken.
    [0002] Esbesteht ein Trend beim Design von Plattenlaufwerken zu zunehmenderAufzeichnungsdichte des Laufwerksystems. Ein Verfahren zum Erhöhen derAufzeichnungsdichte besteht darin, die Oberfläche der Platte zu strukturieren,um diskrete Datenspuren zu bilden, was als Aufzeichnen einer diskretenSpur (DTR Discrete Track Recording) bezeichnet wird. DTR-Platten weisen üblicherweiseeine Reihe von konzentrischen Erhebungszonen (auch als Hügel, Erhebungenusw. bekannt) auf, die Daten speichern, und Senkungszonen (auchbekannt als Mulden, Täler,Gräbenusw.), die eine Isolation zwischen den Spuren schaffen, um das Rauschenzu reduzieren. Solche Senkungszonen können auch eine Servoinformationspeichern. Die Senkungszonen trennen die Erhebungszonen, um dasunbeabsichtigte Speichern von Daten in den Senkungszonen zu verbietenoder zu verhindern.
    [0003] EineTechnik zum Erzeugen von DTR-Platten besteht in der Benutzung vonNano-Präge-Lithographietechniken(NIL). NIL umfasst den Gebrauch eines vorgeprägten festen Prägewerkzeugs(auch als Prägestempel,Prägeelementusw. bekannt) mit einem inversen Abbild (negative Replik) einer DTR-Struktur.Der Prägestempelwird auf eine dünne Polymerschichtauf der Platte gedrückt.Der Prägestempelund die Platte werden in gekoppeltem Zustand oft erhitzt, und dannwird der Prägestempel entfernt,so dass ein Abdruck des DTR-Musters auf der Polymerschicht zurückbleibt.Eine solche Technik kann kosteneffektiv und relativ einfach zumErzeugen von extrem kleinen Strukturen z.B. 10 Mikron oder wenigereingesetzt werden. Jedoch muss eine solche Technik, um kosteneffektivzu sein, von dem Prägestempelidentische Nanostrukturen in großen Stückzahlen reproduzieren können.
    [0004] EinProblem bei aktuellen NIL-Techniken besteht darin, dass das Polymer-Materialvon der Polymerschicht auf der Platte auf den Prägestempel übertragen werden kann, wennder Prägestempelvon der Platte getrennt wird. Das übertragene Polymer-Materialbleibt als Unebenheit auf dem Prägestempelund kann schließlichauf die Polymerschicht einer nachfolgenden geprägten Platte als Defekte (z.B.Gräben undHügel)währenddes Prägens übertragenwerden. Eine Unebenheit in Form eines Grabens, kann, wenn sie ausreichendgroß ist,sich in unerwünschtemMaße aufdie Erzeugung einer gewünschten Spurstrukturauswirken, und eine Unebenheit in Form eines Hügels kann beim Betrieb derPlatte stören,indem keine ausreichende Gleithöhedes Kopfes überder Plattenoberflächeerreicht wird. Um die extrem feinen Strukturen herzustellen, diebenötigtwerden, um eine hohe Empfindlichkeit zu erreichen, und um identischeNanostrukturen von einem Vorlageprägestempel in der Massenproduktionzu reproduzieren, ist eine minimale Übertragung (idealerweise keine Übertragung)von Unebenheiten durch Polymer-Material von der Polymerschicht derPlatte auf den Prägestempelgefordert.
    [0005] EineLösunggemäß dem Standder Technik besteht darin, die Oberfläche des Prägestempels mit einer Prägestempel-Ablösebeschichtungzu beschichten, um die Trennung des Prägestempels von der Polymerschichtnach dem Prägenzu erleichtern. Das Material der Ablösebeschichtung wird auf die Oberflächenmoleküle des Materialsdes Prägestempelsaufgebracht. Typischerweise zeigen die aufgebrachten Beschichtungeneine begrenzte Lebensdauer, wobei sich die Prägeeigenschaften erheblich nacheiner Zahl von Prägezyklenverschlechtern. Dies führtzur progressiv zunehmenden Übertragung vonPolymermaterial auf die Oberflächedes Prägestempelsund zur Abnahme der Prägequalität, wodurchein häufigerAustausch des Prägestempels notwendigwird.
    [0006] Eineweitere Lösungbesteht darin, ein Prägeformablösemittelin der Masse des zu prägenden Polymerschichtmaterialsvorzusehen. Jedoch kann dies die Originaleigenschaften des Polymerschichtmaterialsverändernund das nachfolgende Prozessieren negativ beeinflussen. Zusätzlich können die Prägeformablösemittel,die der Masse des Polymermaterials zugesetzt sind, das Anhaftender Polymerschicht auf eine darunterliegende Schicht wie beispielsweiseeinem Substrat verhindern.
    [0007] Dievorliegende Erfindung ist beispielhaft und nicht einschränkend inden Figuren der beigefügtenZeichnungen dargestellt, in denen:
    [0008] 1 eine Ausführungsformeiner prägbarenMaterialschicht darstellt, die mit einer Ablöseschicht beschichtet ist.
    [0009] 2 die chemische Struktureines nichtfunktionalen Perfluorpolyäther-Molekül darstellt;
    [0010] 2b die chemische Strukturfür Z-Doldarstellt;
    [0011] 2c die chemische Strukturfür AM3001 darstellt;
    [0012] 2d die chemische Strukturfür Z-Tetraol darstellt;
    [0013] 2e die chemische Strukturfür Moresco darstellt;
    [0014] 3 eine Ausführungsformeines Verfahrens zum Beschichten und zum Prägen einer prägbaren Materialschichtmit einer Ablöseschichtdarstellt; und
    [0015] 4 eine Ausführungsformdes Prägenseiner prägbarenMaterialschicht mit einer Ablöseschichtdarstellt.
    [0016] Inder nachfolgenden Beschreibung sind zahlreiche spezifische Detailsausgeführt,wie Beispiele von spezifischen Materialien oder Elementen, um eingründlichesVerständnisder vorliegenden Erfindung zu schaffen. Es ist jedoch für einenFachmann offensichtlich, dass diese spezifischen Details nicht ausgeführt werdenmüssen,um die Erfindung auszuüben.In anderen Beispielen wurden wohlbekannte Elemente und Verfahrennicht im Detail beschrieben, um ein unnötiges Verwässern der vorliegenden Erfindungzu vermeiden.
    [0017] DieBegriffe „über" und „auf", wie sie hierin benutztwerden, beziehen sich auf eine relative Anordnung einer Schichtin Bezug auf andere Schichten. So kann eine Schicht, die über oderauf einer weiteren Schicht angeordnet ist, direkt in Kontakt mit deranderen Schicht sein, oder es könneneine oder mehrere Zwischenschichten vorgesehen sein.
    [0018] Essei angemerkt, dass die Vorrichtung und die Verfahren, die hierinbeschrieben werden, mit vielen Typen von Platten benutzt werdenkönnen.Bei einer Ausführungsformkönnenz.B. die Vorrichtung und die Verfahren, die hierin beschrieben werden,bei einer magnetischen Aufzeichnungsplatte verwendet werden. Alternativkönnendie hierin beschriebenen Vorrichtung und Verfahren mit anderen Typenvon digitalen Aufzeichnungsplatten, z.B. optischen Aufzeichnungsplatten,wie eine Compactdisk(CD) und eine Digital-Versatile-Disk (DVD) benutztwerden.
    [0019] EinVerfahren und eine Vorrichtung wird nachfolgend beschrieben, umeine Schicht aus einem prägbarenMaterial vor dem Prägenmit einer molekular dünnenAblöseschichtzu beschichten. Bei einer Ausführungsformkann die Ablöseschichtaus Polymeren zusammengesetzt sein. Die Schicht aus prägbarem Material,die mit der Ablöseschichtbeschichtet ist, wird dann mit einem Prägestempel, der z.B. verwendetwerden kann, um eine diskrete Spurstruktur (DTR) zu bilden, odermit einer negativen Replik einer DTR-Struktur (z.B. im Nanobereich) in das prägbare Materialgeprägt.Die Ablöseschichtdient als eine Ablösebeschichtung,um die Trennung des Prägestempelsnach dem Prägenzu erleichtern. Das mit der Ablöseschicht(z.B. Polymer) beschichtete prägbareMaterial kann eine geringe Reibung und eine Niedrigenergieoberfläche aufweisen,so dass die Trennung zwischen der Oberfläche und der Schicht aus prägbarem Material(z.B. selbst ein Polymer) ohne nennenswerte Übertragung von prägbarem Material(z.B.
    [0020] Polymer-Material)auf den Prägestempelerleichtert wird. Nach dem Prägenkann die Ablöseschichtvon der Schicht aus prägbaremMaterial entfernt werden.
    [0021] Beieiner Ausführungsformkann die Ablöseschichtaus fluorierten Polymeren zusammengesetzt sein. Die Fluorverbindungkann aus nichtfunktionalen Perfluorpolyäther-Molekülen oder funktionalen Perfluorpolyäther-Molekülen, diedurch polare Gruppen wie Hydroxyl, Carboxyl oder Amin abgeschlossen sind,zusammengesetzt sein. Difunktionale Perfluorpolyäther-Verbindungen mit polaren Gruppen anbeiden Enden des Molekülskönnenauch verwendet werden. Bei alternativen Ausführungsformen können anderePolymere oder Monomere fürdie Ablöseschichtverwendet werden, z.B. solche, die auf Hydrocarbon basieren.
    [0022] 1 zeigt eine Ausführungsformeiner Schicht aus prägbaremMaterial, die mit einer Ablöseschichtbeschichtet ist. Bei einer Ausführungsform kannz.B. die Vorrichtung 100 als eine Basis für eine magnetischeAufzeichnungsplatte dienen. Bei einer solchen Ausführungsformkann die Basisstruktur 15 aus einem Substrat 10 undeiner Unterschicht 20 mit z.B. galvanisiertem NiP zusammengesetztsein. Das Substrat 10 kann z.B. aus einem Glas oder Metall/Metallegierungsmaterialhergestellt sein. Glassubstrate, die verwendet werden können, sindz.B. ein Silika enthaltendes Glas wie z.B. ein Borosilikat-Glasoder Aluminosilikatglas. Substrate aus einer Metalllegierung, dieverwendet werden können,sind z.B. Aluminium-Magnesium(AlMg)-Substrate.Bei einer alternativen Ausführungsformkönnenandere Substratmaterialien einschließlich Polymere und Keramikenverwendet werden.
    [0023] Wenndie Unterschicht 20 eine NiP-Schicht ist, kann eine solcheSchicht durch Galvanisieren, autokatalytisches Abscheiden oder durchandere, aus dem Stand der Technik bekannte Verfahren gebildet werden.Das Beschichten des Substrats 10 der Platte mit einem festenoder metallischen Material, wie z.B. NiP, kann das Plattensubstrat 10 mechanischunterstützenfür z.B.ein nachfolgendes Polieren und/oder nachfolgende Prägeprozesse.Eine NiP-Schicht kann poliert, planarisiert und/oder strukturiertwerden. Eine NiP-Schicht kann z.B. durch ein gleichförmiges Ätzen oderandere Poliertechniken gemäß dem Standder Technik poliert werden. Eine NiP-Schicht kann auch mit einerStruktur durch zahlreiche Verfahren, wie mechanisches Strukturieren mitHilfe von festen oder freien Schleifpartikeln (z.B. Diamant) strukturiertwerden. Alternativ könnenandere Arten von Strukturierungsmethoden, wie z.B. Laserstrukturieren,verwendet werden. Das Beschichten des Substrats 10 kannnicht notwendig sein, wenn das Substrat 10 aus einem ausreichend festenoder harten Material, wie z.B. Glas, gebildet ist. Demgemäß kann dasSubstrat 10 selbst poliert, planarisiert und/oder mit denoben beschriebenen Verfahren strukturiert werden.
    [0024] Beieiner alternativen Ausführungsformkann die Basisstruktur 15 aus einem Substrat 10 mitanderen Typen von darauf aufgebrachten Unterschichten, z.B. einerweichmagnetischen Schicht, zusammengesetzt sein. Bei einer Ausführungsformkann die Unterschicht 20 einer weichmagnetische Schichtoder einer weichmagnetische Schicht, die auf einer NiP-Schicht aufgebrachtist, darstellen. Eine weichmagnetische Schicht kann verwendet werden,um für einquermagnetisches Aufzeichnen notwendige, ordnungsgemäße magnetischeEigenschaften zu erreichen. Die weichmagnetische Schicht kann eine Schichtaus Eisen-Kobalt-Nickel(FeCoNi)-Material sein.Anderer Materialien, die fürdie weichmagnetische Schicht verwendet werden können, umfassen Kobalt-Eisen(CoFe), Nickel-Eisen (NiFe) und Legierungen daraus. WeichmagnetischeSchichten und Materialien, die zum Herstellen einer weichmagnetischenSchicht verwendet werden können,sind in dem Gebiet der magnetischen Aufzeichnungsplatten wohlbekannt,demgemäß ist eineausführlicheBeschreibung nicht vorgesehen. Die weichmagnetische Schicht kannpoliert und/oder strukturiert werden. Die weichmagnetische Schichtkann mit einer Struktur mit Hilfe von zahlreichen Verfahren, wiebeispielsweise mechanisches Strukturieren mit Hilfe von festen oderfreien Schleifpartikeln (z.B. Diamant) strukturiert werden. Alternativkönnenandere Arten von Strukturierungsverfahren wie z.B. Laserstrukturieren,verwendet werden, um die weichmagnetische Schicht zu strukturieren.Bei einer weiteren Ausführungsform kanneine dünneNiP-Schicht auf der weichmagnetischen Schicht aufgebracht sein undpoliert und/oder strukturiert werden.
    [0025] EineSchicht 30 aus prägbaremMaterial ist auf der Basisstruktur 15 aufgebracht. Wiezuvor erwähnt,ist die Schicht 30 aus prägbarem Material auf der Basisstruktur 15 aufgebracht,um eine prägbare Schichtzu bilden. Das prägbareMaterial 30 kann ein Fotolack, ein Elektronen empfindlicherResist oder andere prägbareMaterialien sein. Bei einer besonderen Ausführungsform ist die Schicht 30 aus prägbarem Materialaus einer zweilagigen Fotolackschicht zusammengesetzt, z.B. auseiner Poly(Methyl Metacrylat)(PMMA)-Schicht und einer Co-Polymer-Poly(MethylMetacrylat-Metacrylsäure-Copolymer)(P(MMA-MAA)-Schicht.Andere prägbareMaterialien, die verwendet werden können, sind z.B. thermoplastischePolymere (z.B. thermoplastische (z.B. amorphe, semikristalline,kristalline), aushärtende Polymere(z.B. Epoxide, Phenole, Polysiloxane, Ormosile, Solgele) und strahlungsausheilbarePolymere (z.B. UV-ausheilbare,mit Elektronenstrahl ausheilbare).
    [0026] Aufder Beschichtung 30 aus prägbarem Material ist eine Ablöseschicht 50 aufgebracht.Bei einer Ausführungsformenthältdie Ablöseschicht 50 linearesFluorcarbon, wie in 2A dargestelltist. Die Ablöseschicht 50 kannmonofunktionale Perfluorpolyäther-Moleküle enthalten,die durch eine einzelne polare Gruppe, z.B. Hydroxyl, Carboxyl oderAmin, abgeschlossen ist. Bei einer alternativen Ausführungsformkann die Ablöseschicht 50 difunktionalePerfluorpolyäther-Verbindungenmit polaren Gruppen an beiden Enden der Moleküle enthalten. Die chemischeStruktur fürein difunktionales Perfluorpolyäther-Molekül mit Hydroxylals polaren Gruppen ist in 2B dargestellt.Die polaren Gruppen reagieren mit der Oberfläche der Schicht 30 ausprägbarem Materialund die fluorierten Polymerketten orientieren sich in Richtung derLuft-Polymergrenze. Bei einer Ausführungsform kann kommerziellesPerfluorpolyäthermit dem Handelsnahmen Z-DOL(M. Wt. 2000) mit Hydroxyl-Endgruppen verwendetwerden. Die chemische Struktur fürZ-DOL ist in 2B dargestellt. Z-DOL istvon Ausimont aus Italien verfügbar. Alternativkönnenandere Perfluorpolyätherverwendet werden, z.B. AM3001, Z-Tetraol und Moresco-Verbindungen.Die chemischen Strukturen von AM3001, Z-Tetraol und Moresco sindin den 2C, 2D bzw. 2E gezeigt.
    [0027] DieAblöseschicht 50 istnicht nur auf funktionale und difunktionale Fluorcarbon basierteVerbindungen beschränkt.Nichtfunktionale Fluorcarbon basierte Verbindungen können auchverwendet werden. Weiterhin ist die Ablöseschicht 50 nichtbloß auf Polymerschichtenbegrenzt. In einer alternativen Ausführungsform kann die Ablöseschicht 50 ein Fluorcarbonbasiertes Monomer (nichtfunktional, funktional oder difunktional)sein, wobei z.B. „n" in der chemischenStruktur, die in 2A dargestelltist, 1 entspricht. In anderen Ausführungsformen können abgesehenvon Fluorcarbon basierten Verbindungen Polymer und Monomerverbindungenverwendet werden, z.B. Hydrocarbon basierte Verbindungen.
    [0028] MitBezug auf die 1 kanndie Dicke 121 der Ablöseschicht 50 beieiner Ausführungsformim Bereich von ungefähr5 bis 25 Angstrom liegen. Bei alternativen Ausführungsformen kann die Ablöseschicht 50 andereVerbindungen aufweisen und deren Dicke kann z.B. von der Art abhängen, wiedie die Ablöseschicht 50 aufder Schicht 30 aus prägbarem Materialaufgebracht ist, die nachfolgend mit Bezug auf 3 beschrieben wird.
    [0029] 3 zeigt eine Ausführungsformeines Verfahrens zum Beschichten und Prägen einer Schicht aus prägbarem Materialmit einer Ablöseschicht.In Schritt 310 wird eine Schicht 30 aus prägbarem Materialauf der Basisstruktur 15 aufgebracht, um eine prägbare Schichtzu bilden. VielfältigeBeschichtungsverfahren könnenverwendet werden, um das prägbareMaterial 30 auf der Basisstruktur 15 aufzubringen,z.B. Tauchbeschichten, Rotationsbeschichten, Tauch-Rotationsbeschichtenund Sprühbeschichten.
    [0030] Alsnächsteswird in Schritt 320 die Ablöseschicht 50 (z.B.Perfluorpolyäther)auf der Schicht 30 aus prägbarem Material aufgebracht.Die Verbindung der Ablöseschichtkann z.B. in flüssigerForm verwendet werden, indem wenige Tropfen der flüssigen Verbindungan einer oder mehreren Stellen auf der Oberfläche des prägbaren Materials 30 aufgebracht werdenund dann die Flüssigkeitgleichmäßig über dergesamten Oberfläche(z.B. durch Rotationsbeschichten) verteilt wird. Alternativ kanndie Schicht 30 aus prägbaremMaterial mit Hilfe anderer Techniken beschichtet werden, z.B. Tauchbeschichten, Tauch-Rotationsbeschichten,Sputtern und chemische Gasphasenabscheidung (CVD). Die Beschichtungsparameterund die Verbindungskonzentrationen können in geeigneter Weise ausgewählt werden, umeine Bedeckung mit einer Monolage sicherzustellen. Bei einer besonderenAusführungsform,bei der Tauchbeschichten eines Polymers verwendet wird, kann diePolymerkonzentration z.B. 1 Gramm/Liter sein und die Herausziehgeschwindigkeitder Tauchbeschichtungsmaschine ungefähr 1 bis 5 mm/sec. sein, waszu einer Dicke von ungefähr10 bis 25 Angstrom führt.Selbstverständlichkönnenandere Parameter und Konzentrationen verwendet werden.
    [0031] InSchritt 330 wird die Schicht 30 aus prägbarem Material,die mit der Ablöseschicht 50 beschichtetist, überdie Übergangstemperatur(Tg) des prägbarenMaterials 30 gemäß Schritt 330 erhitzt,bei der sie viskoelastisch wird. Bei einer Ausführungsform kann das prägbare Material/die Ablöseschichtz.B. auf eine Temperatur ungefährim Bereich von 15 bis 250°Cerhitzt werden. Wenn PMMA oder ein Ultem-Polymer (erhältlich von General ElectricCorporation aus Waterfort, N.Y.) für das prägbare Material 30 verwendetwird, empfiehlt der Hersteller Prägetemperaturen im Bereich von180 bis 200°C.Bei einer besonderen Ausführungsform,bei der ein Ultem-Polymer (Tg bei 215°C) für das prägbare Material 30 verwendetwird, kann die Temperatur z.B. auf ungefähr 217°C eingestellt sein. Bei alternativen Ausführungsformenkönnenandere Temperaturen und Temperaturbereiche verwendet werden.
    [0032] DieAblöseschicht 50 unddie Schicht 30 aus prägbaremMaterial werden dann mit dem Prägestempel 90 inSchritt 340 geprägt,wie in 4 dargestelltist. Der Prägestempel 90 kanneine strukturierte Oberflächeaufweisen, die invers zu einer diskreten Spurstruktur ist, die aufder Schicht 30 aus prägbaremMaterial geprägtwerden soll. Das Herstellen eines strukturierten Prägestempelsist aus dem Stand der Technik bekannt; daher wird eine ausführlicheBeschreibung nicht vorgesehen.
    [0033] MitBezug auf 3 wird beieiner Ausführungsformdie Kombination aus Prägestempel 90 und Vorrichtung 100 inSchritt 355 abgekühlt,um eine geprägteStruktur von Grabenbereichen (auch als Senkungsbereiche, Gräben, Täler, usw.bezeichnet) und Plateaus (auch als Erhebungsbereiche bezeichnet) inder Ablöseschicht 50/demprägbarenMaterial 30 (wie in 4 dargestelltist) zu bilden, und dann wird der Prägestempel 90 von derAblöseschicht 50/der Schicht 30 ausprägbaremMaterial in Schritt 350 getrennt. Alternativ kann der Prägestempel 90 vonder Ablöseschicht 50/der Schicht 30 ausprägbaremMaterial in Schritt 350 getrennt werden und dann in Schritt 355 nachder Trennung abgekühltwerden. Das Trennen des Prägestempels 90 vonder Ablöseschicht 50/derSchicht 30 aus prägbaremMaterial vor dem Abkühlenkann teilweise auf dem relativen thermischen Ausdehnungskoeffizientender fürden Prägestempel 90 unddie Ablöseschicht 50 verwendeten Materialienabhängen.Die Ablöseschicht 50 kann einegeringe Reibung und eine niedrigenergetische Oberfläche aufweisen,die die Trennung der Oberflächenzwischen dem Prägestempel 90 undder Vorrichtung 100 ohne eine wesentliche Übertragungvon Material von der Ablöseschicht 50 aufden Prägestempel 90 erleichtert.
    [0034] Dannkann in Schritt 360 die geprägte Ablöseschicht 50 z.B.durch Aussetzen zu einem geeigneten Lösungsmittel, Trockenätzen, RIEoder gasförmigePlasmen entfernt werden.
    [0035] Nachfolgendzum Entfernen der Ablöseschicht 50 können eineoder mehrere Schichten auf der geprägten Schicht 30 aufgebrachtwerden, um z.B. eine magnetische Aufzeichnungsplatte herzustellen.In der Ausführungsform,in der die Schicht 30 aus prägbarem Material eine zweilagigeResistschicht ist, kann eine Abhebetechnik verwendet werden, umeine Aufzeichnungsstruktur mit einer diskreten Spur auf dem Substrat 10 zubilden. Die Abhebetechnik umfasst das Abscheiden eines Stapels aus Metallschichtenund das nachfolgende Abheben der zweilagigen Schicht und des daraufaufgebrachten Schichtenstapels. Der magnetische Schichtenstapel, derauf der zweilagigen Schicht aufgebracht ist, kann nachfolgend durchselektives Ätzeneiner oder beider der Resistschichten von der zweilagigen Schicht abgehobenwerden, was zu einem mit der DTR-Struktur strukturierten Magnetschichtenstapelauf der Basisstruktur 15 führt.
    [0036] Indem Metallschichtenstapel werden eine oder mehrere Metallschichtenauf dem unterschnittenen geprägtenMaterial 30 aufgebracht. Bei einer Ausführungsform kann der Magnetschichtenstapel eineoder mehrere Keimbildungsschichten enthalten, um ein bestimmtesKristallwachstum in den Magnetschichten zu erleichtern. Diese Schichtenkönnen ausMaterialien sein, die eine ausreichend gute Gitterübereinstimmungmit dem Material aufweisen, das für die Magnetschichten verwendetwird. Die Herstellung und Zusammensetzung der Magnetschichten undder Keimbildungsschichten sind im Stand der Technik bekannt, demgemäß wird aufeine ausführlicheBeschreibung verzichtet.
    [0037] DerMagnetschichtstapel kann auch eine oder mehrere Schutzschichtenumfassen, die auf den Magnetschichten aufgebracht werden. Z.B. kann einezweilagige Schutzschicht auf den Magnetschichten aufgebracht werden,um den Reibungsanforderungen in ausreichendem Maße zu genügen, wie z.B. Kontakt-Start-Stopp(CSS) und Korrosionsschutz. Vorherrschende Materialien für die Schutzschichtsind Carbon basierte Materialien wie hydrogeniertes oder nitrogeniertesCarbon.
    [0038] DasAbheben hinterlässtden Schichtenstapel in diskreten Bereichen auf der Basisstruktur 15, sodass eine mit einer DTR-Struktur strukturierte magnetische Aufzeichnungsplattemit einer nicht durchgängigenSchutzschicht erzeugt wird. Bei einer alternativen Ausführungsformkönneneine oder mehrere Schutzschichten nicht in dem Schichtenstapel enthaltensein, könnenjedoch nach dem Abheben des Schichtenstapels aufgebracht werden.Eine Gleitschicht kann auf der gesamten Oberfläche der Platte aufgebrachtwerden, um die Reibeigenschaften weiter zu verbessern. Die Gleitschichtkann z.B, aus einem Perfluorpolyätheroder einem Phosphozen-Gleitmittel zusammengesetzt sein.
    [0039] Essollte beachtet werden, dass vielfältige Reinigungs- und/oder Poliergänge zwischenden oben beschriebenen Verfahrensstufen durchgeführt werden können, z.B.um Unebenheiten von der Oberflächevon einer oder mehreren der Schichten zu entfernen.
    [0040] Inder vorangehenden Beschreibung wurde die Erfindung mit Bezug aufspezifische beispielhafte Ausführungsformenbeschrieben. Es ist jedoch offensichtlich, dass vielfältige Modifikationenund Veränderungenvorgenommen werden können,ohne von dem breiteren Bereich der Erfindung, wie er in den beigefügten Ansprüchen angegebenist, abzuweichen. Die Beschreibung und Figuren sind demgemäß eher darstellendals einschränkendanzusehen.
    权利要求:
    Claims (50)
    [1] Verfahren mit folgenden Schritten: Aufbringeneiner Ablöseschichtauf eine Schicht aus prägbaremMaterial; und Prägender Schicht aus prägbaremMaterial mit der darauf aufgebrachten Ablöseschicht.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ablöseschichtein Monomer umfasst.
    [3] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Ablöseschichteine Polymerschicht ist.
    [4] Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Polymerschichteine Fluorverbindung umfasst.
    [5] Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Polymerschichtein Perfluorpolyäther-Polymerumfasst.
    [6] Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Polymerschichtein funktionales Perfluorpolyäther-Polymerumfasst.
    [7] Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Moleküle der funktionalenPerfluorpolyäther-Polymeredurch eine Gruppe abgeschlossen sind, wobei die Gruppe eine derGruppen Hydroxyl, Carboxyl und Amin entspricht.
    [8] Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Polymerschichtein difunktionales Perfluorpolyäther-Polymerumfasst.
    [9] Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Aufbringen derAblöseschichtdas Aufbringen der Ablöseschichtmit einer Dicke im Bereich von ungefähr 5 bis 25 Angstrom umfasst.
    [10] Verfahren nach Anspruch 5, wobei das Aufbringender Ablöseschichtdas Aufbringen der Ablöseschichtmit einer Dicke im Bereich von ungefähr 5 bis 25 Angstrom umfasst.
    [11] Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Aufbringendurch Rotationsbeschichten durchgeführt wird.
    [12] Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Aufbringendurch Tauch-Rotationsbeschichten durchgeführt wird.
    [13] Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin das Erwärmen desprägbarenMaterials und der Ablöseschichtvor dem Prägenumfasst.
    [14] Verfahren nach Anspruch 13, wobei das prägbare Materialdurch Drückeneines Prägestempelsin die Ablöseschichtund das prägbareMaterial geprägtwird, und wobei das Verfahren weiterhin umfasst: Trennen des Prägestempelsvon der Ablöseschicht;und Abkühlender Ablöseschicht.
    [15] Verfahren nach Anspruch 14, wobei die Ablöseschichtvor dem Trennen abgekühltwird.
    [16] Verfahren nach Anspruch 15, das weiterhin das Entfernenvon der Schicht aus prägbaremMaterial umfasst.
    [17] Verfahren nach Anspruch 16, wobei das Entfernendurch Ätzender Ablöseschichtdurchgeführt wird.
    [18] Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Prägen derAblöseschichtmit einem Prägestempelmit einer Struktur von Erhebungsbereichen und Senkungsbereichenin Nanometerabmessungen umfasst.
    [19] Verfahren nach Anspruch 1, wobei die AblöseschichtHydrocarbone enthält.
    [20] Verfahren nach Anspruch 13, das weiterhin das Erwärmen desprägbarenMaterials und der Ablöseschichtvor dem Prägenauf eine Temperatur im Bereich von ungefähr 15 bis 250°C umfasst.
    [21] Verfahren nach Anspruch 1, wobei das prägbare Materialeine zweilagige Resistschicht ist.
    [22] Verfahren nach Anspruch 21, wobei die Ablöseschichtein Perfluorpolyäther-Polymerenthält.
    [23] Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Polymerschichtein nichtfunktionales Perfluorpolyäther-Polymer enthält.
    [24] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Ablöseschichteine Monomerschicht ist.
    [25] Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Monomerschichteine Fluorverbindung enthält.
    [26] Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Fluorverbindungnichtfunktional ist.
    [27] Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Fluorverbindungfunktional ist.
    [28] Verfahren nach Anspruch 25, wobei die Fluorverbindungdifunktional ist.
    [29] Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Monomerschichteine Hydrocarbon-Verbindung enthält.
    [30] Verfahren nach Anspruch 29, wobei die Hydrocarbon-Verbindung nichtfunktionalist.
    [31] Verfahren nach Anspruch 29, wobei die Hydrocarbon-Verbindung funktionalist.
    [32] Verfahren nach Anspruch 29, wobei die Hydrocarbon-Verbindung difunktionalist.
    [33] Vorrichtung umfassend: ein Mittel zum Erzeugeneiner Aufzeichnungsstruktur mit einer diskreten Spur auf einer prägbaren Schicht einerPlatte; und ein Mittel zum Verhindern einer Materialübertragung vonder prägbarenSchicht auf das Mittel zum Erzeugen der Struktur, wobei das Mittelzum Verhindern der Materialübertragungauf der prägbarenSchicht aufgebracht ist.
    [34] Vorrichtung nach Anspruch 33, wobei das Mittel zumVerhindern der Materialübertragungeine niedrigenergetische und reibungsarme Schicht umfasst.
    [35] Vorrichtung nach Anspruch 33, wobei das Mittel zumVerhindern der Materialübertragungeine hochtemperaturresistente Schicht umfasst.
    [36] Verfahren umfassend: eine Basisstruktur; eineSchicht aus prägbaremMaterial, die auf der Basisstruktur aufgebracht ist; und eineAblöseschicht,die auf der Schicht aus prägbaremMaterial aufgebracht ist.
    [37] Vorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Ablöseschichtein Monomer umfasst.
    [38] Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei die Ablöseschichteine Polymerschicht ist.
    [39] Vorrichtung nach Anspruch 38, wobei die Schichtaus prägbaremMaterial eine zweilagige Resistschicht umfasst.
    [40] Vorrichtung nach Anspruch 39, wobei die Schichtaus prägbaremMaterial und die Polymerschicht eine Aufzeichnungsstruktur mit einerdiskreten Spur umfasst, die darin eingeprägt ist.
    [41] Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei das Monomereine Hydrocarbon-Verbindung umfasst.
    [42] Vorrichtung nach Anspruch 37, wobei das Monomereine Fluorverbindung umfasst.
    [43] Vorrichtung nach Anspruch 38, wobei die Ablöseschichtein Perfluorpolyäther-Polymerumfasst.
    [44] Vorrichtung nach Anspruch 39, wobei die Ablöseschichtein funktionales Perfluorpolyäther-Polymerumfasst.
    [45] Vorrichtung nach Anspruch 40, wobei Moleküle der funktionalenPerfluorpolyäther-Polymere durcheine Gruppe abgeschlossen sind, die aus einer Gruppe der folgendenGruppen ausgewähltist: Hydroxyl, Carboxyl und Amin.
    [46] Vorrichtung nach Anspruch 43, wobei die Polymerschichtein difunktionales Perfluorpolyäther-Polymerumfasst.
    [47] Vorrichtung nach Anspruch 46, wobei Moleküle der difunktionalenPerfluorpolyäther-Polymere durcheine Gruppe abgeschlossen sind, wobei die Gruppe aus einer der folgendenGruppen ausgewählt ist:Hydroxyl, Carboxyl und Amin.
    [48] Vorrichtung nach Anspruch 43, wobei die Polymerschichtein nichtfunktionales Perfluorpolyäther-Polymer umfasst.
    [49] Vorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Ablöseschichteine Dicke im Bereich von ungefähr5 bis 25 Angstrom aufweist.
    [50] Vorrichtung nach Anspruch 43, wobei die Ablöseschichteine Dicke im Bereich von ungefähr5 bis 25 Angstrom aufweist.
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    同族专利:
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2011-09-22| R005| Application deemed withdrawn due to failure to request examination|Effective date: 20110603 |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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